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东芝将投资18亿美元扩大NAND Flash产能

出处:天极网 作者:刘易守 编译 2005-08-22 15:23 评论
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东芝(Toshiba)将投资2,000亿日元(约18亿美元)扩大NAND型快闪存产品,预计3年内可以提高到目前的150%。

  据港台媒体报道,据彭博信息(Bloomberg)及路透(Reuters)引述日经新闻报导,东芝(Toshiba)将投资2,000亿日元(约18亿美元)扩大NAND型快闪存产品,预计3年内可以提高到目前的150%。东芝更可能在2008年3月底以前,将12寸晶圆厂相关资本支出提高到4,700亿日元(约42亿美元)。

  东芝在8月11日曾宣布3年内资本支出将高达1.1兆日元,其中半数将投入半导体产能扩增计划,但未披露细节;日经新闻最新报导指东芝将编列2,000亿日元支出,用于增产NAND型快闪,目前该公司生产NAND的12寸厂月产能约为1万片,加计8寸厂产能后,东芝目前NAND用晶圆月产能约为6万片12寸晶圆。估计扩厂完成后,12寸厂产能预估为10万片;加计8寸厂产能约等于15万片12寸晶圆。

  2004年东芝与新帝(Sandisk)合资25亿美元在日本三重县设12寸厂,预计今(2005)年底前可以投产;新一波的扩产动作将由东芝独资或是由新帝与东芝合资仍不清楚。东芝发言人曾指出,仅是与新帝合资的三重县四日厂,月产能就能提高到15万片。

  东芝公布未来营收计划时指出,未来3年支本支出有半数将投入半导体业务,而参酌日经新闻报导则可发现,仅在NAND型快闪产能上,即耗去将近半数半导体资本支出,显示东芝对NAND型快闪的重视程度。东芝半导体部门销售额占整个集团营收的16%,但营业利益占集团比重则超过50%,获利情况与其他业务相比非常出色。

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