天极网 12月14日消息 港台媒体消息称，AMD与IBM共同宣布已突破应变型硅晶(strained silicon)漏电问题，可在相同耗电量上一举提升半导体性能24%，显示其下一代双核心及多核心架构处理器技术优势；英特尔也不甘示弱，决定将2006年双核心处理器在台式机市场出货比重，由原先目标40%调高到70%，展示其双核心处理器志在必得的决心。
据华尔街日报报导，IBM与AMD宣布，两厂所合作研发制程有重大突破，全球半导体业界首创结合应变型硅晶与绝缘层上覆硅(silicon-on-insulator；SOI)制程技术，可望提高半导体性能达24%，AMD与IBM这项重大突破，在技术进程上明显比英特尔快了一步。
SOI技术系由IBM所研发成功，其在硅芯片添增氧化物绝缘层，以降低电源消耗，减少电流流失，并加快IC处理速度；AMD的90纳米SOI制程技术，便是与IBM共同合作开发，目前采用90纳米SOI应变型硅晶制程的Opteron及Athlon64处理器已开始小量供货。
由于半导体制程迈入90纳米以下深次微米世代，半导体愈做愈小，厂商也面临漏电、性能等棘手问题，因而纷寻求SOI及应变型硅晶等新兴材料，作为解决之道。AMD与IBM近期也开始研究整合SOI及应变型硅晶材料的新技术，并已取得突破进展，通过新的制造技术，不但可缩小所产出半导体面积，并可提升性能及减少耗电。
AMD与IBM公布此一制程突破，无非是要展示下一代双核心及多核心架构处理器的技术优势。AMD表示，此一新技术可在相同耗电量下，提升半导体性能达24%，最快2005年上半就会应用在90纳米制程的Athlon64处理器中，2005年中旬推出的双核心Opteron处理器也会采用此技术，并逐渐整合至全线90纳米制程产品；至于IBM方面，也会在Power系列处理器导入此一新技术。
英特尔方面也不甘示弱，日前纷取消包括LCOS芯片等产品开发计划，全力冲刺双核心处理器开发，近期更在第四季中财报所更新Analyst Day活动简报中，展示65纳米制程Cedermill晶圆，并宣示双核心处理器在台式机、服务器及笔记本电脑市场比重，在2006年将分别达到70%、85%及70%以上。
值得注意的是，相比于英特尔总裁Paul Otellini在9月秋季开发者论坛所公布双核心处理器分别在台式机、服务器及笔记本电脑市场比重40%、85%及70%的目标数字，双核心台式 CPU不但上市进程提前1年，出货目标也大幅提升，充分展现英特尔对于双核心处理器势在必得的决心。
