ChinaByte 2月3日消息 电子暨娱乐集团索尼今(2)日指出，该公司计划未来3年支出1200亿日元(11.4亿美元)，提升3座半导体厂的生产设备。该计划为索尼去年4月宣布的3年2000亿日元半导体投资计划的一部份。
索尼表示，将投资日本西南部长崎县谏早市( Nagasaki Isahaya)一家芯片厂530亿日元。另将以360亿日元投资IBM经营的美国厂。另一笔支出则将投资同样位于日本西南部大分县(Oita)的东芝厂，金额为310亿日元。
索尼、东芝及IBM合作发展代号cell的高能量微处理器。该处理器将被使用于索尼下一代游戏机，及其他高速网路时代的消费电子产品上。索尼表示，3座新厂每月300-mm晶圆的总产能，将在2005年初达到15000片。
此外，最新一期的Barron's报导指出，索尼削减成本的计划，对该公司的底线获利有正面的影响。索尼的获利因降成本而遭到低估。
索尼上周发布上季净利下跌26%，但调高全年获利增长预期10%。First Global预期索尼未来两年的获利年增率将达32%。
索尼的股价于发布提升生产设备的支出前，下跌0.24%，报4240日元。日经指数则下跌0.06%。（完）
