2月6日，美光公司向制造商发布了Q-Flash芯片的样品，这也是美光公司为在高端闪存市场上挑战英特尔公司而采取的一个措施。
Q-Flash芯片的设计与英特尔的StrataFlash芯片的设计相似，其读取数据的速度比普通的闪存芯片要快。美光公司将它定位为StrataFlash芯片的竞争对手，竞争高端闪存芯片市场。美光公司现在已经在生产消费类电器用的标准和低功耗的闪存芯片，Q-Flash芯片将定位于网络设备等需要更强大处理能力的应用。
Web-Feet调研公司的CEI阿兰表示，美光公司还需要更多的努力才能挖走英特尔公司的客户，其中最重要的是价格，使制造厂商将它看作是第二家高性能闪存芯片供应商。但英特尔和美光公司都受到了来自东芝和SanDisk公司的挑战，它们也在开发高速的闪存芯片。
美光公司在一份声明中表示，它现在向制造商交付的是32兆位的Q-Flash芯片，下个季度将开始生产64兆位的Q-Flash芯片。
