NAND型闪存(Flash)应用崛起，首当其冲是DRAM产能受到排挤，但近期NAND Flash价格持续下跌，加上三星2004年为刺激销售，压制后进厂商的利润，将主动下调Flash价格达4成，但以目前情势看来，三星生产1G的NAND Flash利润已和生产512M DDR差不多，在三星成本下调前，NAND Flash价格就已提前降价，市场需求恐怕没有预期的那样好，并将进一步牵动DRAM市场。
近期NAND Flash大幅跌价，1G的NAND Flash价格跌破20美元，现货价格在18美元左右，虽然业者指出，三星2004年为刺激市场需求，且压抑后进者的获利空间，主动掀起价格战，预计大幅降价4成，由于近期NAND Flash价格提前走跌，市场已隐隐担忧消费端需求恐怕会下降，可能导致三星将产能转回生产DRAM，而且且后进者投入NAND Flash生产行列的脚步也会大幅放慢，间接影响到DRAM的供给面。
DRAM业者分析，1G的NAND Flash晶粒大小(die size)和512M的DDR晶粒大小相当，目前价格约18美元，其成本只有不到10美元，而512M的DDR价格约13美元，其成本约6～8美元，两者都是等于是卖1颗赚1颗，所以NAND Flash高毛利优势已逐渐缩小，虽然三星2004年要大幅下调NAND Flash价格，但也会配合制程提升、成本下降然后才逐步下调，但目前价格却提前走滑，显示市场需求有不如预期的隐患。
业者指出，由于三星是全球DRAM和NAND Flash最大供应商，尤其是在NAND Flash部份，三星在全球市场占有率将近70%，有价格主导优势，它看好NAND Flash利润明显高于DRAM，因此，三星自2003年7月起，已调拨2座8寸晶圆厂产能生产NAND Flash，且2004年采用最先进90纳米制程持续增产12寸晶圆厂(Line 12)约1.7万片产能生产Flash芯片。三星在12寸晶圆厂的增产计划上，也以NAND Flash为优先考虑，但倘若未来市场需求疲软，为求企业最高利润，在产能配置上将不一定以NAND Flash为主。
除三星和东芝(Toshiba)为NAND Flash市场主要供应商外，NAND Flash的高利润也吸引多家后进者前仆后继投入，包括Infineon、Hynix和STMircoelectronics等。
但业者分析，后进者对三星在NAND Flash领域无法造成动摇，除三星具价格主导权外，NAND Flash毕竟是属于新崛起的产品，后进者在制程技术、量产能力上，仍需要一段学习曲线，而且最重要的是客户关系建立，必须要取得客户的信任，后进者才可以进入量产阶段。
