美国朗讯科技旗下研发部门贝尔实验室的科学家已发现深入窥看半导体的方式，并能显示单一不纯硅原子的影像；此项发展将协助科学家了解不纯原子如何影响微晶片的特质。
这项在半导体原子层级上的了解，对于建构制造技术十分重要，让未来的高速电子产品，例如微处理器的体积能更缩小，以跟上摩尔定律的进程。摩尔定律指出，每约隔18个月，半导体内的电晶体数便会加倍，且体积减半。
贝尔实验室表示，这是有史以来首次单一不纯原子得以在不改变矽晶状态的情况下，透过特殊电子显微镜显像。这样的技术就好比查看月球表面上的一个脚印一样困难。
此项研究在周五出刊的自然（Nature）期刊一篇文章中提及。
贝尔实验室的材料研究部门主管表示，随着芯片体积日益缩小，能检视并了解设备中环境的物理和化学特性是很重要的，因为这些特性决定了工程师能够将电晶体及其传导缩小的程度。
不纯原子刻意被置入硅晶中，以提供导电体，但随着芯片元件逐渐缩小，半导体产业也达到只需少数不纯原子便可决定某项设备的性能。
贝尔实验室称，其技术可让科学家检视实体设备中单一或群体的不纯原子，以让科学家了解这些不纯原子在设备中的功能。
而此项技术相当的敏锐，因此除了半导体外，也几乎可以应用在任何材料上。
