【ChinaByte 综合消息】虽说三星电子公司在努力推广Rambus DRAM内存，但该公司日前表示他们将在今年第三季度推出300兆赫，64兆 DDR SDRAM内存。
据三星介绍，新出的DDR SDRAM内存数据总线将为32位，最高数据传输速率可达300兆赫。新内存将以0.17微米生产工艺制造，采用FBGA封装，工作电压为2.5伏。三星公司将于2001年第三季度大规模生产上述产品，有关样品及定价的细节尚不得而知。
上述行动反映出三星公司决心突破PC领域的局限，将产品打入通讯市场。尽管该公司估计应用于PC的DRAM内存产品销售仍将占去其收入的53%，他们正积极拓展其产品在笔记本电脑、广域网、局域网、路由器、交换机以及高端服务器中的应用。
三星公司的这一举措是 DDR SDRAM内存向图形处理应用领域发动的又一轮“进攻”。上月末，Hynix半导体公司开始以0.18微米的生产工艺大规模制造DDR SDRAM内存（配置为4MB×16），其工作电压为2.5伏，可以在200MHz、233MHz、250MHz和275MHz等频率下运行。（周亮）
