比特网(ChinaByte)3月25日消息(孙淑艳编译)据中国台湾媒体报道，全球第一大代工芯片制造商台积电宣布，预期将在今年第二季度公司将首次采用最先进的40纳米工艺制造芯片。
台积电表示，新的40纳米制造技术的芯片闸密度(Raw gate density)是65纳米的2.35倍，40纳米低能耗制造技术比45纳米制造技术的能量消耗可以减少15%。
据悉，40纳米低能耗制造技术适用于对晶体管电流泄露高度敏感的产品，比如通讯设备及移动产品;40纳米泛用型制造技术主要使用于中央处理器、绘图处理器、游戏机、网络产品、可程序化逻辑门阵列(FPGA)设计以及其它高效能消费电子产品。
台积电表示，公司首先将在代号为Fab 12的十二英寸晶圆工厂提供40纳米泛用型及低能耗型制造技术服务，未来将根据客户的更多需求再向Fab 14 晶圆工厂扩展。
三月早期，台积电董事长张忠谋透露，公司将投资50亿美元构建新的晶圆研发中心，用以进行32纳米、22纳米和15纳米最先进的芯片制造技术的研发。
