当地时间本周三，SanDisk、东芝二家公司联合宣布，它们将合作开发一项新的技术，生产价格更低廉、存储密度更高的闪存芯片。
二家公司在发表的一份声明中表示，它们将合作开发0.09微米生产工艺，这一工艺将能够使每个圆晶上能够存储更多的数据，提高产量，降低生产成本。
SanDisk、东芝计划在野牛下半年生产中采用0.09微米生产工艺的闪存芯片样品，并在2004年投入商业化批量生产。二家公司表示，它们计划生产容量为2Gb和4Gb，以及存储容量较小的NAND型闪存芯片。NAND型闪存的特点是重写速度快、存储容量大，主要用来生产手机、数码相机用的智能媒介卡、Compact Flash卡以及数字安全卡。
SanDisk、东芝的对手也已经开始开发提高闪存芯片生产效率的技术。三星公司在今年8月份就宣布已经开始大批量生产采用0.12微米生产工艺、容量为1Gb的闪存芯片。
