天极网10月4日消息(戴寻严编译)据外电报道，受到竞争对手三星电子的刺激，韩国芯片巨头现代(Hynix)上周公开了一份咄咄逼人的产品路线图。其中显示该公司力图提高NAND型闪存的市场份额，并推出容量更高的NAND闪存。
据一名现代官员介绍，公司目前已经研发出了第一款70纳秒制程的NAND闪存，其中最大的单片容量已经达到了16G。目前，现代主要向外销售的NAND型闪存产品大多是90纳米制程，容量包括1G、2G、4G和8G。
根据这份上周公布的路线图，现代将在近期内推出70纳米制程的NAND型闪存，容量种类有4、8和16G。其中，70纳米制程的16G闪存预计将在今年11月推出，量产则在明年。据媒体分析称，如果这款产品顺利问世，现代将重新回到NAND型闪存的领导者阵营中。
上个月，三星电子宣布已研发出全球密度最高的NAND型闪存，容量为16G使用50纳米制程。三星这款新品预计在明年下半年量产。
在生产环节，现代和意法半导体合资的芯片厂已经在中国无锡动工。无锡工厂竣工后将用于生产DRAM和NAND闪存，这将极大地提高现代的生产能力。此外， 按照现代此前公布的计划，今年年底，一条转移自韩国的8英寸芯片生产线也将在无锡投产。(完)
