天极网5月31日消息 据外电报道，韩国三星电子表示，已经开始利用70纳米处理技术大批量生产最高密度NAND闪存。
将70纳米技术应用于4GB NAND闪存的生产使三星能造出业内最小的存储单元(Memory Cell)。
70纳米的4GB NAND能以每秒16M的速度写入数据，比90纳米的2Gb设备的速度高出50%，因此能实现高清(HD)视频图像的实时数据存储。
根据市场研究公司Gartner的数据显示，今年4GB NAND闪存将占全年NAND闪存销量的30%。(完)
天极网5月31日消息 据外电报道，韩国三星电子表示，已经开始利用70纳米处理技术大批量生产最高密度NAND闪存。
将70纳米技术应用于4GB NAND闪存的生产使三星能造出业内最小的存储单元(Memory Cell)。
70纳米的4GB NAND能以每秒16M的速度写入数据，比90纳米的2Gb设备的速度高出50%，因此能实现高清(HD)视频图像的实时数据存储。
根据市场研究公司Gartner的数据显示，今年4GB NAND闪存将占全年NAND闪存销量的30%。(完)
