惠普实验室利用纳米技术开发超高密度内存

　　美国惠普公司近日在瑞典斯德哥尔摩瑞典召开的研讨会上公布了惠普实验室科学家利用分子电子学技术开发的超高密度内存芯片，这次研讨会是由瑞典皇家技术所举办的。分析人士称，惠普实验室的科研成果开创了应用纳米技术开发电子产品的新道路，具有历史性意义。

　　在为庆祝瑞典皇家技术研究所成立175年而举行的研讨会上，惠普实验室的量子科学研究主任Stanley Williams说，惠普实验室已经试制成功了超高密度内存。这种64位内存演示芯片使用分子开关作为活性设备，在一平方微米的内部形成64位内存，这就是说，在相当于人类头发丝的密度内可包容1000个64位内存的电路。超高密度内存的储存密度超过现在硅晶芯片的10倍以上。

　　Stanley Williams还说，这也是第一次利用分子电子学技术实现了内存芯片的可读写储存，因此，这种技术如果应用于生产，将创造出现在的闪存芯片所不可能实现的超高密度储存设备。

　　超高密度内存芯片采用一种名为“纳米刻蚀平板印刷术”的先进制造技术。惠普实验室的科学家说，我们认为分子电子学将推动未来的计算技术远远超过硅片的限度。他还说，通过在常规硅片上压入分子开关设备，人们无需对基本技术作出复杂和高成本的改进，即可大大扩展芯片的能力和性能。