ChinaByte 5月24日消息 全球领先的NOR闪存制造商Spansion公司宣布已经开始采用110纳米浮门技术批量生产两大新的闪存系列。新的产品可以满足AMD和富士通公司的客户迅速提高现有手机产品性价比的要求。
新的S29WS-J 和S29NS-J闪存系列是功能齐全的、高性能的1.8伏解决方案，可以将现有设计迅速地从130纳米浮门技术移植到110纳米浮门技术。为了支持尽可能多的客户产品，新的闪存系列在单芯片和多芯片封装（MCP）配置中提供了128Mb和64Mb的密度、高频脉冲串模式接口和同时读写功能。
“我们的客户迫切需要在针对新兴和现有市场的移动电话中集成更多的功能和性能”，Spansion的集团副总裁兼无线业务部总经理Amir Mashkoori表示，“闪存性价比的迅速提升对于它们的成功至关重要。为了满足客户的要求，我们开发了110纳米浮门技术，并在不到六个月的时间里在三个不同的产品系列中采用了此技术，从而构成了一个完整的无线优化产品系列。因此，Spansion具备其他任何制造商都没有的能力：提供一个功能齐全、低于130纳米、能够满足无线客户当前各种需求的产品系列。”
Spansion 是唯一可以采用130纳米或更先进的技术提供1.8伏和3伏无线NOR闪存系列的制造商。采用Spansion(tm) 110纳米浮门技术的产品现在已经占到了Spansion的Fab 25工厂（位于得克萨斯州奥斯汀）的总产量的50%以上。这项技术通过缩小现有的130纳米浮门闪存的芯片尺寸，有助于提高设备生产能力和改进成本结构。这项技术还用于支持Spansion此前推出的3伏分页模式S29PL-J系列。
S29WS-J系列采用了强大的先进扇区保护安全功能，支持业界标准的无线基带芯片组和分离的地址、数据I/O信号。S29NS-J系列减少了引脚个数，因而可以简化电路板的布线。它还采用了一个多路复用的I/O总线。这种总线可以将地址和数据信号结合到一起，与兼容的基带芯片组配合使用。
Spansion设计无线产品系列的目的是帮助设计人员充分利用未来的技术和降低相关的成本。这两个系列都建立在浮门技术的基础之上，并为将来升级到基于110纳米的第二代MirrorBit(tm)技术提供了一条明确的、引脚兼容的途径。
Spansion目前正在向客户提供S29NS-J 和S29WS-J产品系列的样品，并即将开始批量生产。128Mb和64Mb的产品的每万片价格分别为12美元和7美元。（完）
