关于技术和电路的VLSI（超大规模集成电路）专题报告会6月10日开始在夏威夷举行。这次会议的主要议题之一是如何减少芯片所需的耗电量。来自IBM、英特尔和许多芯片厂商的工程师们将在一起共享芯片设计的思路并且发表大约225篇论文，其中许多论文是探讨耗电量问题的。
目前，芯片运行的速度越来越快，需要使用的晶体管越来越多。因此，需要更多的电来使芯片运行。这就迫使设计人员要重新考虑他们的芯片，使芯片耗电量少一些，减少散热量。不过，要使这种芯片成为现实，研究人员还必须要提出创造性的解决方案，例如新的生产技术或者使用新的材料。
在这次专题报告会上，IBM公司将首次推出一种新的制作耗电量低的芯片的生产工艺。
IBM公司制作特殊应用集成电路（ASIC）的新的CU-08生产工艺首次应用了包括“电压岛”在内的新概念。CU-08技术使用90纳米生产工艺和铜连线等材料，将在第3季度的试验型芯片中展示出来，并且将在明年的商品化生产中应用。
IBM公司表示，“电压岛”生产工艺可制作出耗电量在0.7至1.2伏的芯片。而目前该公司的ASIC生产工艺制作的芯片耗电量在1.3至1.8伏。
英特尔将在这次专题报告会上概要地说明在控制漏泄电流的同时提高电脑处理器时钟速度的方法。此外，英特尔公司还将讨论低电压片上总线、低电压时钟和无泄漏缓存等问题。
随着半导体技术的向前发展，按照摩尔定律，芯片将越来越小，速度将越来越快。但是，芯片上使用的晶体管也越来越多。业内人士指出，耗电量问题可能会限制芯片的发展。如果不解决这个问题，将来就不能使用高性能的芯片。
