NEC Corporation旗下其位于美国和欧洲的全资子公司NEC Electronics Inc及NEC Electronics (Europe) GmbH　26日宣布，在NEC的高性能嵌入式DRAM加工技术的基础上推出0.13微米的嵌入式DRAM技术。NEC的嵌入式DRAM的工作电压为1.2伏，其特有的高达314兆赫的随机存取速度和特有的595兆赫的分页模式存取速度使其非常适用于需要高速度、短预充时间及低能耗的通讯、消费性和高端电脑计算应用中复杂单芯片系统(SoC)的设计。