英特尔公司日前宣布，通过使用一项在明年将成为主流技术的新的制造技术，其实验室已经生产出集成有3亿3000万晶体管的内存芯片。
据英特尔公司称，该SRAM（静态RAM）内存芯片的面积大约有109平方毫米，能够存储多达5200万位的数据信息，使它成为有史以来存储密度最高的内存芯片。更重要的是，该芯片显示，英特尔在芯片生产方面能够赶上摩尔定律的发展速度。根据摩尔定律，芯片上集成的晶体管数目每隔18-24个月就会翻一番。
目前，英特尔速度最高的芯片采用0.13微米生产工艺，也就是芯片内部各个部件之间连线的宽度是0.13微米。通过将连线的宽度减少至0.09微米，英特尔能够将芯片的面积减小1半儿，或者在其中添加更多的功能。
采用0.13微米生产工艺生产的芯片在2001年中期开始进入商业性生产阶段，采用0.09微米生产工艺生产的芯片预计将在明年夏季上市发售。一般情况下，原型芯片的面世时间比实际的商业性生产要早大约1年左右。
英特尔公司技术生产业务部门的高级官员马克表示，在实验性SRAM芯片中使用的生产工艺将用在未来的芯片或芯片的缓存生产中。最近数年，芯片的缓存越来越大。英特尔的下一代服务器芯片McKinley的大小为464平方毫米，其中很大一部分是高达3MB的缓存。Madison芯片的缓存容量将高达6MB。
马克说，尽管0.09微米生产工艺也会用在其他产品中，但代号为Prescott的英特尔下一个版本的Pentium 4芯片将是英特尔第一款采用该工艺的芯片产品。
另外，由于集成的晶体管的体积减小，芯片的速度将进一步地加快，性能也将得到提高。
