IBM日前宣布了它们在高速晶体管制造技术上的一项大突破：用绝缘材料将芯片上的晶体管电路层与硅半导体层分隔开来。这项名为硅绝缘（Sillicon-on-insulator）的技术据说能使芯片能耗降低2/3，并将芯片性能提高 35％。
在电路层与硅层之间增加一个绝缘层主要是 为了减小晶体管电路间的干扰。干扰的存在使得技术人员必须将芯片工作电压设计得更高，因此其功耗越高，发热问题也越严重。当芯片上的电路越来越小时，这种问题就会变得愈严重。
IBM SOI 技术的推出，将使未来芯片体积越小、能耗更低、速度更快，既可用于大型主机，也可用于手持设备，由于能耗大大降低，使得便携设备的电池寿命也将随之延长。
IBM现在已开始生产这种芯片，并将于明年上半年开始大批量生产。有关该芯片详情请见：http://www.chips.ibm.com