天极网 6月8日消息 采用纳米技术开发内存芯片的创业企业Nantero公司与特殊微芯片主要制造商LSI Logic公司将在近日宣布：它们已经将Nantero公司的技术转变为标准的半导体产品系列。

　　Nantero公司正在开发高密度非易失性随机存取内存，又称NRAM，这种产品有望替代现行的内存形式。这种技术采用被称为纳米管的碳圆柱分子，LSI公司设在俄勒岗州Grasham工厂将生产采用纳米管材料的新型内存。

　　碳纳米管是新型碳材料中的一种，即所谓富勒烯(Fullerenes)，这种材料的发现有助于激发人们对微分子级材料处理的兴趣，这个领域被称为纳米技术。富勒烯由碳原子构成，其排列形状类似Buckminster Fuller所设计的测地线原屋顶的节点。研究人员在1991年制出了纳米管，纳米管由单一或多层圆柱体构成，这些圆柱体不到10个毫微米宽。一毫微米等于一米的10亿分之一。

　　两家公司称，从实验室到生产线的转换用了9个多月，两家公司还指出，仍然需要做相当大的工作来改善芯片。

　　LSI生产工厂的副总裁和总经理Armour指出，纳米管内存生产遵循与其他半导体产品同样的路线图。他指出，如果没有开发上的问题，内置碳纳米管内存（替代静态随机读取内存 SRAM）的处理器将于明年在工厂生产线上实现商业化量产。

　　碳纳米管内存可以极大地改进手机、笔记本电脑和其他电子设备的性能。如今天的闪存和SRAM内存一样，碳纳米管的设计可在电源切断时保存数据—这是高于动态随机读取内存的优势。但是它比闪存快的多，电力消耗也更小。并且比SRAM内存便宜的多，而且更加紧凑。（完）