IBM日前宣布发展采绝缘层上覆硅（SOI）逻辑制程的嵌入DRAM，以强化其系统芯片（SOC）的产品技术规则。
DRAM为整合型系统设计必备的元件，而SOI制程技术有助于电路速度的提升，甚至可进行更小的封装，这2项技术均是制作更先进半导体的关键。
分析师认为，IBM在SOI芯片生产上估计领先同业2年，不过，其他业者一时之间似乎并未感受此技术的急迫性。此外，虽然该公司为因应高效能的需求，而非高密度的原因而生产嵌入式DRAM，然而其市场容纳依然有限。
Semico Research分析师Sherry Garber表示，99年时半导体厂商嵌入式DRAM出货量为1,200万颗，2000年预计可达2,000万颗。未来在要求效能及低密度分离式DRAM芯片不足带动下，2004年可望成长至2.24亿颗。
