天极网10月26日消息 在英特尔总部的演示会上，几名英特尔公司研究人员说，芯片制造商将在若干年内继续沿摩尔定律所描述的革命路径前进，但是工程师们必须充分地改变产品的基础设计和组成部分。
最大的改变之一将涉及工艺的增强，然后最终要从现在用硅晶体管制造芯片的工艺转向其他方式，这种工艺是整个技术产业的基本构造基础。到2014年，芯片有可能采用以碳纳米管或硅晶纳米线制造的晶体管，而不是采用硅片。到2020年，将有可能需要更激进的转变。
英特尔公司技术战略董事Gargini说，到2010年之前，我们将会有这种设备是什么的相当成熟的思想，这种设备将带着我们超越CMOS(互补金属氧化半导体），CMOS表示互补的金属氧化半导体，它是硅晶体管的技术基础。
英特尔公司对未来的发展概要包括了整个技术产业所面临的挑战。从1960年代到本世纪初，通过缩小芯片上的晶体管体积和增加晶体管的数量，芯片设计者极大地增强了处理器的性能。晶体管体积的减少极大地减少了电子必须通过的距离，因而提高了产品性能。晶体管数量的增加又产品性能大大提高，并且可以让设计者整合新的功能。
以英特尔公司共同发起人摩尔命名的摩尔定律表明，设计工程师每两年可将芯片上的晶体管数量提高一倍。
很不幸，这种益处已经开始衰退。从2000年开始，设计者进入了Gargini所谓的“等价规模”区域，在此区域中芯片设计者通过收缩技术部分地改善了性能，但是他们还使用了新的技术。
到2007年，英特尔有望开始生产45纳米级工艺的芯片，这种芯片与现行芯片的区别部分在于，晶体管电门是由金属制作的，而不是硅。而“氧化门”（晶体管内部用于控制电流的绝缘层）则是用某种材料制造的，它不是二氧化硅，二氧化硅作为芯片材料已经用了数十年。
虽然开发新芯片和新材料不是一件容易的事情，但为了推动纳米技术开发，全球各地政府极大地增加了对纳米芯片技术的投资。1997年，全球政府资助的纳米技术研究费用约为5亿美元，到2003年即增至35亿美元。(完)
