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安森美半导体推出应用于便携电子产品

出处:比特网 作者:佚名 2008-04-23 00:21 评论
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近日,全球领先的高能效电源解决方案供应商安森美半导体推出三款新的采用超小型SOT-963封装的MOSFET,它们均针对空间受限的便携电子产品进行了优化。

  近日,全球领先的高能效电源解决方案供应商安森美半导体推出三款新的采用超小型SOT-963封装的MOSFET,它们均针对空间受限的便携电子产品进行了优化。SOT-963的尺寸为1.0 mm×1.0 mm,安装面积比采用单SOT-723封装的MOSFET解决方案小30%,比SOT-563器件的小60%。这些采用SOT-963封装的NTUD312x新器件仅有0.5 mm的低垂直净距,满足新世代超薄手持便携设备的要求。

  NTUD312x器件在1.5伏(V)门 – 源电压时具有额定的导通电阻值,从而在低压逻辑电平时启动(enable)操作供电。NTUD3127C是一款20 V、200毫安(mA)/-180 mA互补小信号MOSFET。NTUD3128N是一款20 V、200 mA双N沟道MOSFET。NTUD3129P是一款-20 V、-180 mA双P沟道MOSFET。

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