比特网(ChinaByte)12月20日消息(王培垠) 目前，半导体行业的领导企业英特尔已经采用了低k介质材料和高k介质的金属栅极，SiON化合物将逐渐被替代，那么是不是未来将有新的材料采用于晶体管半导体的设计，硅材料是否会推出历史舞台?
在晶体管诞生60周年的时候，比特网(ChinaByte)采访了半导体行业著名学者、评论家莫大康先生。
莫大康对比特网(ChinaByte)表示：“首先我们从历史看，当时为什么会从锗变成硅，锗最大的问题是无法平面化，没有工艺。”
1963年莫大康刚刚进入科学院就是研究锗这种材料，莫大康回忆到：“当时做晶体管都是拿手工做的，用一种胶覆盖起来当绝缘层。而硅最大的优点就是平面化，工艺生命力非常之强。”
至于说未来的全新材料，“英特尔采用高k金属栅极，是局部工艺的变化，局部材料变化一定会进步，但是从根本上替代硅从目前来讲应该还有一段时间。下一步走无非是纳米管，材料的发展根本性的，真正要去掉硅可能还有相当长的时间，至少五十到一百年。”
莫大康介绍到，材料创新很厉害。根据资料，半导体工业刚开始的时候就十几种元素，现在已经有几十种了，整个元素也就大概一百多种。
对于半导体行业真正的价值，莫大康认为：“材料创新是根本性的。产业链转移的是基本附加值，如果没有附加值，再好的技术也无法实现好的经济效益，投资回报率不高什么都搞不下去，这是工艺的最基本点。否则技术好只能看，工艺上无法推行。”
对于目前英特尔的工作，他评价道：“目前英特尔之所以把CPU工业推下去，经济效益好，是因为它的工艺可以大规模的生产，没有这个，英特尔不能支撑下去。”
