ChinaByte消息：近日，德州仪器公司 (TI) 宣布， DMOS 6生产设施 正在制造采用0.13微米铜工艺的 300 毫米晶圆。与 200 毫米晶圆相比， 300 毫米晶圆和0.13 微米工艺可将单个晶圆的印刷模提高2.4 倍并将成本降低30-40%左右，而与此同时产品的外形更小、性能更高、功率更小。DMOS 6所生产的第一批产品包括用于 TI 移动手持终端及 PDA 用户的无线基带处理器。Sun Microsystems公司的 UltraSPARC 微处理器也将很快采用DMOS 6设施先进的0.13微米工艺技术及 300 毫米晶圆产品。
VLSI Research 公司的Dan Hutcheson 说："TI 是目前世界上少数几家能采用300 毫米晶圆、并运用完善的0.13 微米工艺进行生产的半导体厂商之一。当然，降低每个印刷模的成本并生产出具有更高性能的处理器，TI可取得很大的投资回报。同时，这再次证明了 TI 在竞争激烈的制造工艺方面的领先地位。"
DMOS 6 延续传统
DMOS 6 生产设施是TI设备最先进的生产设施，坐落在诺贝尔奖获得者 Jack Kilby 首次发明集成电路的地方，即北达拉斯校区DMOS 6厂区占地面积约为150,000 平方英尺，拥有级别为100的清洁车间，空气中的灰尘或污染物颗粒含量仅为每立方英尺100粒。（一般来讲，空气中平均每立方英尺的颗粒含量介于 300,000 到 1,000,000之间。）
DMOS 6生产设施在全面启用后月产量为3.5万片。随着 TI 最先进产品市场的不断增长，DMOS 6生产设施的生产量也将随之增加。目前计划在2002年底前在这里每月生产1万片。
TI 执行副总裁兼首席运营官 Rich Templeton 说："作为世界上少数几个顶尖的半导体公司之一，TI将不断为构建新一代集成电路所需的复杂工艺进行投资。现在0.13微米工艺技术已应用到了300毫米晶圆上，TI将会遵守承诺，迅速将实验室研究成果转化为客户信赖的多种产品。"
0.13 微米工艺的领先者
TI 于3月份验证并投产的 0.13 微米工艺处理节点，即在小于5美分硬币中封装具有1.8 亿个晶体管的芯片现已推出。目前0.13微米制造工厂已向世界各地的客户提供了50多种原型产品。
运行频率在一千兆赫兹 (GHz) 以上、内部电压为1.2伏或低于1.2伏、支持高达 3.3 伏的I/O 信号发送环境的产品正处于设计和制造中。在另一个衡量芯片制造商的通用基准测试中，TI 0.13微米出众的 SRAM 位密度为单个设备提供了高达24 兆位的SRAM。
凭借高达七层的铜信号互连，0.13微米工艺可在半导体制造中达到0.18微米工艺下TI原有的铜互连标准。与高性能数字逻辑器件结合，TI 的0.13微米工艺就完全有能力实现模拟功能并集成先进的混合信号功能。这一集成能力使 TI 可充分利用在混合信号产品及数字信号处理器 (DSP) 方面领先的市场及技术优势，在单个芯片上创建整套系统解决方案。
