摩托罗拉、飞利浦与意法半导体公司联合推出业界首个90毫微米 (0.09微米) CMOS 设计平台，从而使得设计人员能够针对低功率、无线、网络、消费类及高速应用系统，展开新一代系统级芯片(SoC)产品开发。

　　由上述三家公司联合开发的新型90毫微米CMOS设计平台，充分利用了90毫微米工艺技术的多重特性和模块化性能。特别地，设计时可选择多个基于阈值的库元素，并可用于相同的设计模块，从而为平台用户提供了极大的灵活性来优化性能和减少功率耗散。这一功能也确保了更加快速地开发用于高性能及功率要求苛刻型产品的芯片。

　　飞利浦半导体公司首席技术官Theo Claasen先生说：“这一新型设计平台的推出让我们处在了90毫微米节点技术的领先地位。这一新技术的应用，让我们能够为客户提供世界上最先进的、能实现高效制造的CMOS技术。我们的库及设计模块IP系列可与第三方IP结合使用，提供前所未有的硅系统方案，帮助人们轻松地访问信息、进行娱乐和享受各种服务。”

　　今年年初，摩托罗拉、飞利浦及意法半导体三家公司宣布建立联盟关系，在位于法国Crolles市的最新研究与开发中心，共同开发创新的半导体技术。此次重大的早期技术突破明确表明了联盟的成功。

　　摩托罗拉半导体产品部技术及制造总经理兼公司副总裁Chris Belden先生说：“这一新型设计环境把摩托罗拉、飞利浦及意法半导体联盟的强大开发能力及丰富经验带入市场，并证实了我们计划今年年底前推出首个采用90毫微米技术的300毫米硅方案的可行性。三家公司大量的知识产权资源都被投入到联盟计划中。共享库的潜在优势将体现在更快的产品面市速度，以及为客户带来的强大竞争优势上。”

　　意法半导体公司副总裁兼中心研究与开发总监Joel Monnier先生说：“意法半导体的外部客户可立即使用这一新型库平台，事实上，意法半导体的产品开发部早已采用该平台来创建复杂的系统级芯片应用要求的独特设计模块。该平台提前向设计人员供应对于三方联盟来说，是一个重要的时刻。这证实了我们合作的初步成功，并向市场表明我们致力于引领90毫微米CMOS技术的承诺。”

　　技术细节：

　　全套库平台包括：

　　* 两个标准的单元库，一个针对性能进行优化，另一个针对密度进行优化，提供1000个以上可选单元，密度超过每平方毫米400K门。 支持1.0V或1.2V核心电压，金属间距0.28μm，6-9金属电路层。每个库都支持多个Vt选择；

　　* 备有1.8V、2.5V及3.3V I/O 全套单元；

　　* 高密度嵌入存储器，包括6T-SRAM（密度达每兆位1.6至1.2平方毫米），双端口，寄存器文件和ROM编译程序；

　　* 一种完全兼容的低成本工艺，允许高达32MB的嵌入DRAM，密度为每兆位 0.5平方毫米。

　　除了初期提供的上述产品外，后续产品包括SOI (Silicon-on-Insulator) 型和高性能集成无源设备等将很快面市。

　　目前，一个往复式多项目模板服务已经面市，该服务具有较短的周期，大大降低了小批量芯片的NRE费用，因而实现了低成本原型制作。

　　90毫微米设计平台获得业界流行的CAD工具的全面支持，这些CAD工具来自 Cadence、Mentor Graphics及Synopsys，通过与它们的研究开发小组合作开发出设计解决方案。

　　2002年4月，摩托罗拉、飞利浦及意法半导体三家公司宣布组建联盟，在未来5年内共同开发从90毫微米节点至32毫微米节点的新一代CMOS技术，TSMC负责工艺开发和调整。联盟的合作开发项目以位于法国Crolles市名为“Crolles2”的300毫米芯片研究与开发中心为基础，由各公司现有的研究与开发运营机构及实验室协助。