与其他分立解决方案相比，新器件可获得与之相当的RDS(on) 性能，且每插槽成本可降低达10美分
2005年10月12日 –– 全球领先的分立器件供应商，安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号:ONNN)推出全新系列的高性能VCE(sat) 双极结晶体管(BJT)，该产品降低电路总成本，并为各种便携式应用如手机、PDA、媒体播放器、笔记本电脑和数码相机, 提供更高的电源效率和更长的电池寿命。
此类创新的低VCE(sat) BJT为微型的表面贴装器件，具有超低饱和电压(VCE(sat))和高电流增益能力的特性，专为负担得起且能效控制要求高的低压高速开关应用而设计。理想的应用包括电源管理、电池充电、低压降稳压、振荡器电机、LED背光、电池管理、磁盘驱动器控制和照相机闪光灯。
为协助一直处于削减其设计各个方面成本的巨大压力之下的便携式和无线产品制造商，安森美半导体在模拟集成电路以外，把目光转向分立元件，以期获得可能的成本节约。采用经加强的硅技术和先进封装，公司开发了这全新系列的小型、高性价比BJT，其所提供的低饱和电压性能与较昂贵的分立解决方案的 RDS(on) 性能相当。
安森美半导体集成电源产品部小信号产品市场经理Wes Reid说:“采用新型低VCE(sat) BJT，我们已成功帮助一些客户实现了每个电路0.1美元的成本节约。安森美半导体工程小组也正加快开发新一代低VCE(sat) BJT 器件，它们可将等效RDS(on) 再降低50%，为更多的用户和其应用提供这种成本节约型技术。”
安森美半导体新型VCE(sat) BJT的抗静电放电(ESD)能力很强，有助防止敏感元件受到损坏。优异的电气性能和低温系数可提高电源效率，并最终节约电池电能。通过减少特定应用中的器件数量，这些新型晶体管可进一步缩减材料单(BOM)。如在提供低于1.0伏(V)的低导通电压后，就无需典型的电荷泵 。由于它们具有双向阻塞能力，所以也无需阻塞二极管。
PNP 器件
NSS12200WT1G 12 V, 3.0 A, 163 milliohm (SC-88)
NSS30070MR6T1G 30 V, 0.7 A, 320 milliohm (SC-74)
NSS35200CF8T1G 35 V, 7.0 A, 78 milliohm (Chip-FET)
NSS40400CF8T1G 40 V, 7.0 A, 78 milliohm (Chip-FET)
NSS20300MR6T1G 20 V, 5.0 A, 78 milliohm (TSOP-6)
NSS30100LT1G 30 V, 2.0 A, 200 milliohm (SOT-23)
NSS35200MR6T1G 35 V, 5.0 A, 100 milliohm (TSOP-6)
NPN 器件
NSS20201MR6T1G 20 V, 3.0 A, 100 milliohm (TSOP-6)
NSS30101LT1G 30 V, 2.0 A, 100 milliohm (SOT-23)
NSS30071MR6T1G 30 V, 0.7 A, 200 milliohm (SC-74)
NSS30201MR6T1G 30 V, 3.0 A, 100 milliohm (TSOP-6)
封装与价格
低VCE(sat) BJT 系列采用多种业内领先的封装，包括SOT-23、SC-88、SC-74、TSOP-6 和 ChipFET，每10,000件的批量单价为0.07美元至0.16美元。
