ChinaByte消息：功率半导体专家国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出全新IRF7338器件，把一对互补的12V N沟道及P沟道HEXFET功率MOSFET纳入单SO-8封装内。
与其它解决方案相比，IRF7338是一款极具成本效益的器件，适用于USB端口、双倍数据率 (DDR) 动态随机存取存储器 (DRAM) 应用等装置中的瞬时供电电路，以及其它要求单刀双掷 (SPDT) 器件在备用电压和核心电压干线间进行转换的电路。SPDT开关采用单输入信号控制输出，视输入控制电压的高低而切换不同的线路。
IRF7338器件以简单的运算放大器驱动，能在DDR存储器应用中为终端电压 (VTT) 提供拉灌电流通路。在USB应用中，这款采用联合封装的新MOSFET能在5V待机电源和5V主电源之间对USB端口进行快速切换。在PCI应用中，该器件可在3.3V待机电源和3.3V主电源之间进行切换。
IR中国及香港销售总监严国富先生表示：“ IRF7338经优化，提供从待机到全功率状态之间的快速切换，反之亦然；在计算机应用中支持先进组态与电源管理界面，即ACPI。ACPI接口一般用于笔记本电脑、台式电脑及服务器的电源管理系统，有助于降低功耗，最大限度的延长电池使用时间。”
IRF7338的P沟道部分可切换高达3A的电流，N沟道部分则可切换高达6.3A的电流。两组器件的栅电荷极低，有助简化栅驱动电路设计。
