天极网 7月5日消息 华亚科技上月30日举行12寸厂落成典礼，正式与力晶、茂德现有12寸厂开展竞争，新DRAM三雄时代来临，在2004年底前，力晶产能以4万片领先华亚与茂德的2万片，不过，华亚与英飞凌合作以0.11微米技术切入，则在产品竞争力上后来居上。
随著华亚12寸DRAM厂落成，台湾地区目前共有3座12寸厂，另有华邦12寸厂、茂德中科12寸厂、力晶第二、三、四厂建厂计划，因此，未来预估五年后台湾地区将有8座12寸DRAM厂，在未来全球DRAM市场上将更具影响力。目前台湾12寸厂在产能竞争上，力晶12寸A厂已达3万片，年底将提高到4万片左右；华亚半导体约2.4万片；茂德年底也可望达2万片，因此，在2004年力晶的产出量仍居领先地位。
在技术上，力晶在DRAM市场竞争力增加，主要是因12寸厂产能开出，引入0.11微米制程，同时，在市场需求增加，竞争厂商在产能方面增长困难的前下，力晶仍极具竞争优势。力晶董事长黄崇仁日前曾强调，目前全世界以12寸厂生产DRAM的厂商不多，仅有三星、Elpida及茂德等，加上在制程上力晶目前以0.13微米及部份0.11微米生产DRAM，生产成本不断下降，第一季营业毛利达40%，这是力晶在市场上竞争力最强的地方。
华亚技术由英飞陵与南亚科之间的这项策略性合作开始于2002年11月，除成立双方持股各半的华亚这家合资之外，双方也正联手开发90纳米与70纳米的沟槽式技术，在技术开发上凌驾于力晶和茂德。茂德目前仍以0.14微米占产出的65%最多，其次为0.12的26%，不过，在6月之后，0.12微米制程产品则将超过0.14微米产品。茂德目前在台湾中部科学园区投资1050亿元兴建第二座12寸晶圆厂，力图追赶力晶。
由南亚科和英飞凌合资的华亚科技，预计每月最大产能将达5万片，使用110纳米沟槽式技术的首批产品正从华亚产出，未来该公司将朝世界产能最大DRAM厂迈进，并有助于南亚科及英飞凌在DRAM市占率的扩张。
未来华亚在2005年底每月产能将增加到5万片，但力晶则可望成长至8万片，因此，在未来两年内，力晶仍将是台湾地区产出量最大的DRAM厂，华亚则将在2005年引入90纳米技术，在降低成本及竞争力上有后来居上的迹象。
