【ChinaByte 综合消息】英特尔半年一度的开发者论坛于8月22～24日在加州圣荷西举行，本届为第七届IDF，为有史以来规模最大的一届。
英特尔技术部资深副总裁暨总经理Mike Splinter在IDF中表示，英特尔的制造工艺目标是开发出速度与集成度均占领先地位的硅制造技术，并能以极高的速度提高产量，目前英特尔正跨入0.13微米芯片制造工艺的量产阶段。
Splinter表示，芯片制造工艺的更新换代原来是以3年为一周期，但英特尔此次率先将此周期缩短为2年。他指出，英特尔公司在95年实现了0.35微米量产CPU，97年便已推出0.25微米产品，99年则再推出0.18微米工艺，预计2001年将实现0.13微米产品的量产。
Splinter强调，与目前英特尔的0.18微米工艺相比，0.13微米的氧化层可减少30%以上，工作电压可从原来的1.5伏降为1.2伏，若从SRAM面积来看，更可缩小60%以上。
根据英特尔的计划，将于2001年第二季推出0.13微米的Coppermine Pentium Ⅲ，代号“Tualatin”，第三季则会推出Willamette Pintium 4的0.13微米版本，代号“Northwood”。
