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英特尔用65nm工艺制造出70Mbit的静态存储器

出处：天极网　作者：　2004-08-30 17:57　评论
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英特尔宣布他们采用最新的65纳米工艺制造静态存储器取得了突破，他们成功制造出了70Mbit的大容量静态存储器。

　　天极网 8月30日消息 近日，英特尔宣布他们采用最新的65纳米工艺制造静态存储器取得了突破，他们成功的用65nm的工艺制造出了70Mbit的大容量静态存储器。

　　去年11月，英特尔首次宣布65nm制造工艺的时候就曾宣布成功制造出4Mbit的SRAM，在不到一年的时间里已经能够生产出70Mbit的SRAM。

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