天极网 8月30日消息 近日，英特尔宣布他们采用最新的65纳米工艺制造静态存储器取得了突破，他们成功的用65nm的工艺制造出了70Mbit的大容量静态存储器。

　　去年11月，英特尔首次宣布65nm制造工艺的时候就曾宣布成功制造出4Mbit的SRAM，在不到一年的时间里已经能够生产出70Mbit的SRAM。