安森美半导体推出集成SMART HotPlug(tm) 电路，提供业内最稳固的+12V热插拔保护
集成控制器和MOSFET将计算和电信电路板应用的整个热插拔解决方案设计时间减少一半，同时将外置元件数量减少达75%
PCIM欧洲 - 德国纽伦堡-2005年6月7日 - 安森美半导体(美国纳斯达克上市代号:ONNN)今日宣布推出NIS5102高端热插拔保护集成电路带内置电荷泵和精确温度检测电路，扩展了其SMART HotPlug(tm) 产品系列。该电路为计算和电信应用而设计，把功率MOSFET和控制电路及热保护结合。这种集成方法简化了常用+12伏(V)系统中基本“热插拔”保护的设计，是分布式电源系统、服务器、磁盘阵列和配电板插件应用的理想选择。
安森美半导体产品市场经理Barry Brinkman说:“+12 V应用热插拔保护的业内常用解决方案需要采用来自不同供应商的控制器、外部MOSFET和功率检测电阻以及超过12个无源元件。相比而言，NIS5102由于内置了温度检测电路，并采用三种标准芯片电阻编程，因此能提供业内最可靠的热保护。”
NIS5102为设计人员提供限制启动电流的集成解决方案(这些启动电流在将电子设备插入工作或“热”系统中时产生)，并且不会中断或损坏系统和电子设备。NIS5102专为在+12V背板上安全插入和拔去电子设备而设计。
市场上推出的热插拔控制器日益增多，而NIS5102是唯一可提供10毫欧低电阻、18V额定电压集成智能MOSFET的器件。它集成了智能MOSFET和电流镜象 - 特别是SenseFET(tm) - 仅有一部分负载电流通过检测电阻检测。这样就不需采用更大、更昂贵的外部功率检测电阻。温度检测二极管提供精确和无干扰的热保护。可调电流限制特性使设计人员可以设置最大启动电流，范围从20安培至一安培以下。欠压和过压锁定防止负载“见到”潜在的不安全工作电压。NIS5102可以在10安培连续电流下工作，仅需一个0.5 in 2的铜垫，无需散热器或空气流。
NIS5102是安森美半导体推出的第二款集成Smart HotPlug(tm) 器件。去年，安森美半导体推出了为-48V背板设计的NIS5101热插拔保护器件。到2005年底，安森美半导体将推出另外三款SMART HotPlug(tm) 器件。
封装与价格
NIS5102QP1HT1G (闩锁电路)与NIS5102QP2HT1G (自动重试)采用9 mm x 9 mm 的12引脚 DFN 无铅封装。每2,000件器件的批量单价为2.38美元。
