天极网 8月12日消息 全球DRAM大厂在第二季度转换制程到0.11微米，在良品率无法提升、各厂产出锐减德情况下，造成当时DRAM现货价大幅攀高，经历了这段阵痛期，随着进入8月，目前包括三星(Samsung)、美光(Micron)、英飞凌(Infineon)等国际大厂标准型DRAM采用0.11微米以下制程比重均已逾7成，台湾地区厂商落后国际大厂一大段距离。
DRAM龙头厂三星的制程技术一向领先同行半年以上，在2004年初，三星在将制程转换至0.11微米时，因为使用新的介电质材料，在转换过程遭遇到瓶颈，造成三星第一季度产出明显滑落，但在第二季度时即获得解决，产出随即恢复到正常轨道。
DRAM业者指出，目前三星所有产能当中，有48%的产出来自于0.11微米制程，49%来自于0.10微米制程，这表示目前三星几乎全数产出来自于0.11微米以下制程。此外，三星也开始使用90纳米制程技术试产NAND Flash，但尚未真正量产。
美光和英飞凌在第二季度时也都因为0.11微米制程转换不顺而影响了产出，但目前两家业者0.11微米制程良品率均已大幅提升，且都开始大量投片。美光现阶段在标准型DRAM部分约有70%的产出是以0.11微米制程为主，而英飞凌也有约70%产出是采0.11微米制程，英飞凌预计到年底时0.11微米制程产出比重将提升至80%。
随着国际DRAM大厂走过0.11微米制程转换障碍，目前情况可说是柳暗花明，但反观台湾地区DRAM业者在0.11微米制程进度方面则相对落后不少，台厂现阶段主流制程仍停留在0.14/0.13微米制程，0.11微米制程良率虽正逐步提升，但仍处于苦苦追赶阶段。
目前南科0.11微米制程良率约50～60%，与0.14微米制程已达经济转换(cross over)阶段，预计8月份0.11微米制程投片量将首次超过0.14微米制程。
华亚半导体方面，由于12寸晶圆厂初始便导入0.11微米制程，并没有制程转换问题，加上华亚12寸厂有最先进的机器设备，因此，华亚在良率提升上，速度相对较快，目前良率约在70%。
力晶预计自第四季度起，12寸晶圆厂产出会有一半来自于0.11微米制程；至于茂德0.11微米制程短期内还难跃居主流，目前以发展0.12微米制程为主，预计第四季度时0.12微米制程比重将占总产能60%。
